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Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
比较
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB vs Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
总分
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
总分
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
差异
规格
评论
差异
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Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
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Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
41
左右 -71% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
24
读取速度,GB/s
14.3
15.8
写入速度,GB/s
9.4
12.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2142
2761
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB RAM的比较
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
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