RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Note globale
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
67
Autour de 63% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
67
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
2042
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaison des RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link