RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
67
Por volta de 63% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
8.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
12.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
67
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
8.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2045
2042
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparações de RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link