RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
27
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
3711
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaison des RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link