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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
50
Autour de -47% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
1,457.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
34
Vitesse de lecture, GB/s
3,757.3
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,457.4
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
557
3199
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
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