RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
50
Около -47% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.5
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
16.5
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
3199
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1600C9 8GB
Corsair CMT32GX3M4X1866C9 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link