RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
50
Por volta de -47% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
1,457.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
34
Velocidade de leitura, GB/s
3,757.3
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,457.4
13.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
557
3199
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparações de RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link