RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
42
Autour de 40% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
42
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
2352
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaison des RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link