RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Note globale
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
47
Autour de 47% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.1
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
47
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
7.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
2308
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaison des RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link