RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
47
Около 47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.1
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.6
7.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
47
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
10.0
Скорость записи, Гб/сек
8.6
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
2308
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link