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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Note globale
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
29
Autour de 14% latence réduite
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
10600
Autour de 2.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
23400
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
3093
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaison des RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
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