RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
AMD R748G2606U2S 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
61
Autour de 33% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
AMD R748G2606U2S 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
61
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
2028
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
AMD R748G2606U2S 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
A-DATA Technology DDR3 2133X 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link