RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
41
Autour de -21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
34
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
3429
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link