RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
41
Autour de -32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
20.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
3425
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link