RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
41
Autour de -46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
3384
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link