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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
41
Autour de -32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
3416
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
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