RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
41
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
35
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
3112
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link