RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
50
Autour de 18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
50
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
1976
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link