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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
101
Autour de 59% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
101
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
12.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
6.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
1382
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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