RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
41
Autour de -37% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
3506
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
INTENSO 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link