RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
41
Autour de -64% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
25
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
2583
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link