RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
41
Autour de -58% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
26
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
2912
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QHY-YK0 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link