RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
45
Autour de 9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
45
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
11.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
2036
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link