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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
41
Autour de -71% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
24
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
2541
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
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