RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Comparez
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
33
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
21300
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2553
2952
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link