RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Comparez
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
33
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
21300
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2553
2952
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link