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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Confronto
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
33
Intorno -3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
9.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
32
Velocità di lettura, GB/s
13.8
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
21300
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2553
2952
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
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