RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,168.2
13.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
60
Intorno -122% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
27
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
2912
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link