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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Comparez
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Note globale
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
46
Autour de 37% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
46
Vitesse de lecture, GB/s
13.1
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
25600
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2243
2660
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB Comparaison des RAM
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Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
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