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Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Comparez
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Note globale
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
35
Autour de -6% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
33
Vitesse de lecture, GB/s
16.4
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
10.8
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
25600
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2660
2987
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB Comparaison des RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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