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Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
16.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
35
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
10.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
33
Velocidad de lectura, GB/s
16.4
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.8
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
25600
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2660
2987
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
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