RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Comparez
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Note globale
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
65
Autour de -117% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.5
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
4.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
30
Vitesse de lecture, GB/s
6.1
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
4.2
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
985
2374
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Comparaison des RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link