Porównanie pamięci RAM Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Wynik ogólny

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

30 65

Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

14.5 6.1

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

9.0 4.2

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 8500

Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1066 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

985 2374

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns