RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Comparez
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Note globale
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Note globale
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
54
76
Autour de 29% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.3
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.9
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
76
Vitesse de lecture, GB/s
9.4
10.3
Vitesse d'écriture, GB/s
6.7
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1929
1260
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ17RG4EAFD-DJ-F 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link