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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
比较
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
总分
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
总分
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
54
76
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.3
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.9
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
76
读取速度,GB/s
9.4
10.3
写入速度,GB/s
6.7
6.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1929
1260
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB RAM的比较
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
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