RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Comparez
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Note globale
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de 11% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.6
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2152
3519
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB Comparaison des RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link