RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Сравнить
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB против G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.6
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
18.6
Скорость записи, Гб/сек
8.2
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2152
3519
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB Сравнения RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link