RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Comparez
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Note globale
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
40
Autour de 38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
6.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
40
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
9.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2152
2031
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB Comparaison des RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link