RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Comparez
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Note globale
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Note globale
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
26
Autour de -18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
14200
Autour de 1.2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
22
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14200
17000
Other
Description
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2558
3036
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB Comparaison des RAM
Corsair CML4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link