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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Comparez
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Note globale
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
43
Autour de -65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
26
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
2855
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
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