RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Comparez
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Note globale
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
43
Autour de -79% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.7
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.6
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
22.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
18.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
4202
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link