RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Сравнить
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
43
Около -79% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.7
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.6
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
22.7
Скорость записи, Гб/сек
8.0
18.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
4202
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link