RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
32
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
32
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
17.3
Скорость записи, Гб/сек
6.8
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3023
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link