RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Comparez
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Note globale
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Note globale
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
43
Autour de -16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
37
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
2808
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link