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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

総合得点
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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

総合得点
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Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB 考慮すべき理由
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB 考慮すべき理由
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 43
    周辺 -16% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16 left arrow 12.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.6 left arrow 8.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    43 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    12.7 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 12.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2057 left arrow 2808

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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
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メモリRAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
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メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
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メモリRAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Kingston KHYXPX-MIE 8GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Kingston 9965643-002.A01G 4GB
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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
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A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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