RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Comparez
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Note globale
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
43
Autour de -48% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
2711
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link