RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Note globale
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,381.6
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
60
Autour de -62% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
37
Vitesse de lecture, GB/s
5,082.2
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,381.6
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
925
2808
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link