RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,381.6
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
60
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
37
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
2808
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link