RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
48
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
35
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2068
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link