RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Comparez
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Note globale
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
44
Autour de -57% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.1
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2302
3693
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB Comparaison des RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GNL-F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KF552C40-16 16GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link