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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Comparez
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Note globale
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Note globale
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Différences
Spécifications
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Raisons de considérer
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
44
Autour de -100% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
22
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.1
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2302
3110
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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